Notes bibliographiques

La réflexion en termes d'optimisation du stockage des données et des vitesses d'exécution a dernièrement conduit à de nouveaux critères de fonctionnement des mémoires électroniques du futur. Ces mémoires, tout en consommant très peu d'énergie, devront pouvoir assurer à la fois des fonctions d'archivage (conservation des données sur des périodes supérieures à 10 ans) et être capables d'effectuer des opérations logiques à très grande vitesse (temps de commutation de l'ordre de la nanoseconde). De telles mémoires, dites SCM (Storage Class Memory), n'existent pas encore et font actuellement l'objet de recherches intensives. Cet ouvrage présente les trois systèmes sur le point d'atteindre cet objectif : les mémoires magnétiques STT (Spin Transfer Torque), les mémoires à changement de phase (PCRAM) et les mémoires résistives (RRAM) à métallisation ou à changement de valence. Proposant une description détaillée des évolutions de la technologie existante, il analyse également l'émergence de concepts nouveaux susceptibles de conduire à des mémoires électroniques de type SCM